Технология ионно-лучевого распыления

Поделиться!

Для получения многослойных структур используют метод ионно-лучевого распыления. Из-за того , что распыление осуществляется в условиях низких температур, можно легко работать с материалами, которые имеют чувствительность к действию высоких температур. Скорость процесса очень высока, как для вакуумных методов опыления, и характеризуется стабильностью потока налаживаемых частиц.

В результате можно получить объекты с толщиной слоя от 1-10 нм. Находясь в условиях вакуума ионно-лучевое распыление осуществляется за счет равномерного потока пучка ионов, которые, находясь в индивидуальной оптической системе, меняют количество энергии до нужного уровня. Чаще всего в качестве источника ионов берут такие вещества, как инертные газы, ионы которых могут достигать энергий 1-12 нэВ.

С помощью данной технологии получают микрокристаллические пленки необходимые для MRAM-устройств, высококачественные тонкие оптические покрытия, нанесение специальных изоляционных покрытий алюминия оксида, углеродные алмазоподобные пленки.

Поделиться!

Рубрика: Мелодрама

Метка: лучевого, распыления